SiPhデバイスの微細構造分析
シリコンフォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。
- SPA-100
波長掃引型フォトニクスアナライザ
- 業界最高水準の高い分解能 (<5 μm)
- 光部品の挿入損失と反射減衰量を測定
- SiPhデバイスのアライメントと評価に適した近接センシング
- 波長可変レーザー(TSLシリーズ)のアドオンモジュールとして機能
- アライメント用光パワーメータ接続ポートあり
- PANDA型偏波保持ファイバに対応
- 評価、分析が容易な専用ソフトウェア付属
- 最大160nmの広い波長範囲でのWDL測定が可能
- 1回の波長掃引で70dBを超える広いダイナミックレンジを実現
概要
SPA-100は、santec波長可変レーザ （TSLシリーズ）のアドオンモジュールとして機能し、フォトニクスデバイス評価に要求される3つの機能（反射点計測, 波長依存損失計測, 近接センシング）を提供する分析装置です。広帯域波長可変のTSLと組み合わせることで、フォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。また、光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で 70dBを超える広いダイナミックレンジで波長依存損失(WDL)が測定できます。さらに、特許取得済みの近接センシング機能が、ファイバプローブとデバイス間の精密な距離測定を実現し、シリコンフォトニクスデバイス生産ラインにおいてウェハレベル特性評価時のアライメント工程を容易にします。これらの特徴により、本製品は、シリコンフォトニクス及び小型光コンポーネントの開発や生産など様々なアプリケーションで理想的なツールとなっています。
70dBを超える広いダイナミックレンジを実現
光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で 70dBを超える広いダイナミックレンジで、かつ、160nmの広い波長範囲で波長依存損失(WDL)が測定できます。
評価、分析が容易な専用ソフトウェア付属
異なる材質の屈折率を定義し、反射点を分析や導波路の損失量を計算します。
データの保存はもちろん、データの読み込み分析も可能です。
SiPhデバイスのアライメントに適した近接センシング
| ファイバープローブ端からシリコンウェーハの距離を感知できるため、アライメント用のカメラが不要となります。 |
アライメント用に光パワーメータ接続ポート付属
SPA-100はアライメント用に光パワーメータを接続するポートを標準で付属しています。
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