SiPhデバイスの微細構造分析
シリコンフォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。
SPA-100は、santec波長可変レーザ (TSLシリーズ)のアドオンモジュールとして機能し、フォトニクスデバイス評価に要求される3つの機能(反射点計測, 波長依存損失計測, 近接センシング)を提供する分析装置です。広帯域波長可変のTSLと組み合わせることで、フォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。また、光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で 70dBを超える広いダイナミックレンジで波長依存損失(WDL)が測定できます。さらに、特許取得済みの近接センシング機能が、ファイバプローブとデバイス間の精密な距離測定を実現し、シリコンフォトニクスデバイス生産ラインにおいてウェハレベル特性評価時のアライメント工程を容易にします。これらの特徴により、本製品は、シリコンフォトニクス及び小型光コンポーネントの開発や生産など様々なアプリケーションで理想的なツールとなっています。
シリコンフォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できます。
光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で 70dBを超える広いダイナミックレンジで、かつ、160nmの広い波長範囲で波長依存損失(WDL)が測定できます。
異なる材質の屈折率を定義し、反射点を分析や導波路の損失量を計算します。
データの保存はもちろん、データの読み込み分析も可能です。
ファイバープローブ端からシリコンウェーハの距離を感知できるため、アライメント用のカメラが不要となります。 |
SPA-100はアライメント用に光パワーメータを接続するポートを標準で付属しています。